晶體管特性圖示儀測(cè)量MOSFET的開啟電壓（Gate Threshold Voltage），方法2

以IRFP460為例，測(cè)試條件為ID=250μA，連接見圖，D和G短路接儀器C端，S接儀器E端。
掃描電源：10V
電源極性：NPN(+)
測(cè)試模式：重復(fù)
功耗電阻：100Ω
柵極電阻：0Ω
垂直：0.1mA/格   移位Y0=+0.1mA
水平：1V/格      移位X0=0
階梯：1V/級(jí) 
階梯級(jí)數(shù)：10級(jí)
將“掃描電源%”旋鈕調(diào)到0位置，啟動(dòng)測(cè)試后慢慢調(diào)高“掃描電源%”旋鈕，使曲線超出250μA，則MOSFET已經(jīng)開啟，開啟電壓就是ID=250μA處的電壓。如圖57，實(shí)測(cè)開啟電壓為2.978V。