半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀的技術(shù)指標(biāo)

1.小電流i-v ： 超低漏電流（fA），最 大電壓200V，最大電流1A； 2.高電壓I-V ： 最大電壓1000V 3.通用I-V ： 適合于大多數(shù)參數(shù)測(cè)試 4.c-v單元： 能夠在1MHz下測(cè)量10pF電 容，準(zhǔn)確度達(dá)1%。上一篇： 晶體管特性圖示儀的用途五強(qiáng)電子來(lái)說(shuō)明 下一篇： 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀的主要功能